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华为和中芯国际携手打造先进芯片。
大陆通讯设备龙头华为于5月底提出「韬定律」概念，宣示目标在2031年前打造出相当于1.4奈米制程水平的芯片。
然而，半导体研究机构《SemiAnalysis》近日公布华为Mate 80 Pro Max的拆解报告指出，虽然中芯国际的制程技术持续进步，N+3制程相当于台积电N6制程，但在制程成熟度、良率及生产成本等关键指标上，目前难以与其相提并论。
华为最新推出的Mate 80 Pro Max智能型手机，搭载麒麟9030 Pro处理器，采用中芯国际（SMIC）N+3制程技术制造。N+3制程是中芯国际早期N+2（7奈米）技术的进一步升级版，也是目前大陆最先进的国产芯片制造技术。
根据拆解报告，中芯国际N+3制程在晶体管密度方面，大致达到台积电N6制程的水平，N6属于7奈米家族的强化版本，从这项指标来看，大陆已具备接近先进制程的能力。
然而，为了达成这样的成果，中芯国际必须大量依赖深紫外光（DUV）多重曝光技术，而非目前业界主流的极紫外光（EUV）设备，这使得制程流程更加复杂，不仅增加生产成本，也影响良率与量产效率。
在芯片性能方面，麒麟9030 Pro的整体表现大致相当于三年前的安卓旗舰芯片，与目前苹果、高通、联发科及三星最新旗舰处理器相比仍有落差，尤其在功耗控制与能源效率方面差距更加明显。
报告认为，美国及其盟友对大陆实施半导体出口管制，虽未完全阻止华为与中芯国际开发先进芯片，但迫使陆企采取不同技术路线。
中芯国际由于无法取得EUV设备，转而依赖DUV多重曝光、DTCO（设计与制程协同优化）以及更复杂的芯片整合技术来提升效能。
陆媒则以较容易理解的方式比喻，中芯国际虽然能够生产出与台积电相近规格的「钞票」，但每张钞票的制造成本却高出数倍，而且不良品比例也较高，因此，在制程成熟度、经济效益与量产能力方面，仍无法与台积电N6制程相提并论。
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